E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Gamyklinis karšto pardavimo Snubber didelio galingumo tiristorius - Aukštos klasės IGBT Snubber kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios įrenginiams - CRE

Gamykloje pagamintas karštai parduodamas „Snubber“, skirtas didelio galingumo tiristoriui – Aukštos klasės „IGBT Snubber“ kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios programoms – CRE siūlomas vaizdas
  • Gamyklinis karšto pardavimo Snubber didelio galingumo tiristorius - Aukštos klasės IGBT Snubber kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios įrenginiams - CRE
  • Gamyklinis karšto pardavimo Snubber didelio galingumo tiristorius - Aukštos klasės IGBT Snubber kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios įrenginiams - CRE
  • Gamyklinis karšto pardavimo Snubber didelio galingumo tiristorius - Aukštos klasės IGBT Snubber kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios įrenginiams - CRE
  • Gamyklinis karšto pardavimo Snubber didelio galingumo tiristorius - Aukštos klasės IGBT Snubber kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios įrenginiams - CRE

Trumpas aprašymas:


Atsisiųsti kaip PDF

Produkto detalė

Produkto etiketės

Susijęs vaizdo įrašas

Atsiliepimai (2)

Mūsų gerai įrengtos patalpos ir išskirtinė geros kokybės valdymas visuose gamybos etapuose leidžia garantuoti visišką pirkėjų pasitenkinimąSuvirinimo keitiklio nuolatinės srovės jungties kondensatorius , Plėvelės kondensatorius, skirtas Abb Inverteriui , Elektroninis kondensatorius, Todėl galime patenkinti skirtingus skirtingų klientų užklausas.Norėdami sužinoti daugiau informacijos apie mūsų gaminius, apsilankykite mūsų svetainėje.
Gamykloje pagamintas karštas Snubber didelio galingumo tiristorius – Aukštos klasės IGBT Snubber kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios įrenginiams – CRE detalė:

Techniniai duomenys

Darbo temperatūros diapazonas Maks. darbinė temperatūra.,Viršus,maks.: +105℃

Aukštesnės kategorijos temperatūra: +85℃

Žemesnės kategorijos temperatūra: -40 ℃
talpos diapazonas 0,1 μF–5,6 μF
Nominali įtampa 700V.DC～3000V.DC
Cap.tol ± 5 % (J); ± 10 % (K)
Atlaikyti įtampą 1,5 Un DC/10S
Sklaidos koeficientas tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Izoliacijos atsparumas

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (esant 20℃ 100V.DC 60S)

C＞0,33μF RS*C≥5000S (esant 20℃ 100V.DC 60S)
Atlaiko smūgio srovę

žiūrėti duomenų lapą
Liepsnos slopinimas

UL94V-0
Gyvenimo trukmė

100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Atskaitos standartas

IEC61071;GB/T17702;

Specifikacijų lentelė

Įtampa 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Matmenys (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0,68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 m 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 m 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 m 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 m 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 m 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Įtampa Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Matmenys (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0,68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 m 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 m 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 m 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 m 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 m 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Įtampa 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0,68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 m 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 m 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 m 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 m 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 m 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 m 32
Įtampa 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0,68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 m 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 m 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 m 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 m 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 m 32
Įtampa 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0,68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 m 32
Įtampa Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 m 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 m 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 m 28
Produkto detalės nuotraukos:

Gamykloje pagamintas karštai parduodamas „Snubber“, skirtas didelio galingumo tiristoriui – Aukštos klasės IGBT „Snubber“ kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios reikmėms – išsamios CRE nuotraukos

Gamykloje pagamintas karštai parduodamas „Snubber“, skirtas didelio galingumo tiristoriui – Aukštos klasės IGBT „Snubber“ kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios reikmėms – išsamios CRE nuotraukos

Gamykloje pagamintas karštai parduodamas „Snubber“, skirtas didelio galingumo tiristoriui – Aukštos klasės IGBT „Snubber“ kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios reikmėms – išsamios CRE nuotraukos

Gamykloje pagamintas karštai parduodamas „Snubber“, skirtas didelio galingumo tiristoriui – Aukštos klasės IGBT „Snubber“ kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios reikmėms – išsamios CRE nuotraukos

Susijusio produkto vadovas:
Mūsų tikslas paprastai yra patenkinti savo pirkėjus siūlydami auksinį tiekėją, puikią kainą ir gerą kokybę gamykloje pagamintam karšto pardavimo Snubber didelio galingumo tiristoriui - Aukštos klasės IGBT Snubber kondensatoriaus konstrukcija, skirta didelės galios programoms - CRE, produktas bus tiekiamas visiems visame pasaulyje, pavyzdžiui: Monakas, Portugalija, Monrealis, Turime klientų iš daugiau nei 20 šalių ir mūsų reputaciją pripažino gerbiami klientai.Nesibaigiantis tobulėjimas ir 0% trūkumo siekimas yra dvi pagrindinės mūsų kokybės politikos.Jei jums ko nors prireiks, nedvejodami susisiekite su mumis.
    • Šiais laikais nelengva rasti tokį profesionalų ir atsakingą tiekėją.Tikimės, kad pavyks išlaikyti ilgalaikį bendradarbiavimą. 5 žvaigždutės Autorius Maxine iš Majamio - 2017.06.16 18:23
    Ši pramonės įmonė yra stipri ir konkurencinga, žengianti į priekį su laiku ir besivystanti tvariai, labai džiaugiamės turėdami galimybę bendradarbiauti! 5 žvaigždutės Sara iš Belizo - 2017.06.25 12:48

    Siųsk mums savo žinutę:

    Parašykite savo žinutę čia ir atsiųskite mums

    Produktų kategorijos

    Siųsk mums savo žinutę: