E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – CRE

Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – CRE paveikslėlis
  • Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – CRE
  • Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – CRE
  • Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – CRE
  • Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – CRE

Trumpas aprašymas:


Atsisiųsti kaip PDF

Produkto informacija

Produkto žymės

Susijęs vaizdo įrašas

Atsiliepimai (2)

Siekiame išsiaiškinti kokybiškus gamybos sutrikimus ir nuoširdžiai teikti geriausias paslaugas vidaus ir užsienio klientamsSauso tipo plėvelinio kondensatoriaus sprendimas , Kintamosios srovės plėvelinių kondensatorių bankas , Indukcinio šildymo maitinimo kondensatoriusNuoširdžiai kviečiame visus svečius įkurti su mumis smulkaus verslo asociacijas, remiantis abipusiai teigiamais aspektais. Susisiekite su mumis dabar. Profesionalų atsakymą gausite per 8 valandas.
Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriams – CRE detalė:

SMJ-P serija

Nominali įtampos diapazonas: nuo 1000 V iki 2000 V
Talpos diapazonas: nuo 0,1 µF iki 3,0 µF
Tvirtinimo žingsnis: nuo 22,5 mm iki 48 mm
Konstrukcija: metalizuotas polipropilenas, dielektrinis vidinis nuoseklusis sujungimas
Taikymas: IGBT apsauga, rezonansinės bako grandinės

Savaime atsistatantys, sauso tipo, slopinantys kondensatoriaus elementai gaminami naudojant specialiai profiliuotą, banguotai pjaustytą metalizuotą PP plėvelę, kuri užtikrina mažą saviinduktyvumą, didelį atsparumą plyšimams ir didelį patikimumą. Atjungimas dėl viršslėgio nereikalingas. Kondensatoriaus viršus užsandarintas savaime gęstančia ekologiška epoksidine derva. Speciali konstrukcija užtikrina labai mažą saviinduktyvumą.

IMG_0397.HEIC

Specifikacijų lentelė

Įtampa 700 V nuolatinės srovės, Urms 400 Vac; Us 1050 V
Dydis (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR esant 100 kHz (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms esant 40 ℃ ir 100 kHz (A)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1.5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2.5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 m. 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3.5 33 230 1380 m. 28
6.8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 m. 32
8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33
Įtampa Įtampa 1000 V nuolatinė srovė, Urms 500 Vac; Us 1500 V
Dydis (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irmsas
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1.5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 m. 25
3.3 57,5 35 50 3.5 28 550 1815 m. 25
3.5 57,5 38 54 3.5 28 500 1750 m. 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 m. 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 m. 30
5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32
Įtampa Įtampa 1200 V nuolatinė srovė, Urms 550 Vac; Us 1800 V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irmsas
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1.5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57,5 35 50 4 28 700 1750 m. 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 m. 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 m. 28
3.5 57,5 38 54 3.5 25 500 1750 m. 28
4 57,5 42,5 56 3.5 25 450 1800 m. 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 m. 32
Įtampa Įtampa 1700 V nuolatinė srovė, Urms 575 Vac; Us 2250 V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irmsas
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 m. 18
1.5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 m. 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3.8 26 600 1980 m. 28
3.5 57,5 42,5 56 3.5 25 500 1750 m. 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 m. 32
Įtampa Įtampa 2000 V nuolatinė srovė, Urms 700 Vac; Us 3000 V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irmsas
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 m. 32
Įtampa Įtampa 3000 V nuolatinė srovė, Urms 750 Vac; Us 4500 V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irmsas
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 m. 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800 m. 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28
Produkto detalių nuotraukos:

Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – CRE detalios nuotraukos

Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – CRE detalios nuotraukos

Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – CRE detalios nuotraukos

Gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – mažo nuostolio dielektrinis polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – CRE detalios nuotraukos

Susijęs produkto vadovas:
Laikydamiesi įsitikinimo „Kurti aukščiausios klasės gaminius ir užmegzti ryšius su žmonėmis iš viso pasaulio“, mes paprastai pirmiausia atsižvelgiame į pirkėjų susidomėjimą, kai gamykloje gaminamas „Snubber“ kondensatorius IGBT tranzistoriui – mažo nuostolio dielektrikas iš polipropileno plėvelės „Snubber“ kondensatorius IGBT taikymui – CRE. Produktas bus tiekiamas visame pasaulyje, pavyzdžiui: Alžyras, Angilija, Turkija. Per 11 metų dalyvavome daugiau nei 20 parodų ir sulaukėme didžiausių klientų pagyrų. Mūsų įmonė laikosi principo „klientas pirmiausia“ ir yra įsipareigojusi padėti klientams plėsti savo verslą, kad jie taptų didžiausiais bosais!
    • Esame seni draugai, įmonės produktų kokybė visada buvo labai gera, o šį kartą kaina taip pat labai pigi. 5 žvaigždutės Rita iš Tuniso - 2018.09.21 11:44
    Platus asortimentas, gera kokybė, priimtinos kainos ir geras aptarnavimas, pažangi įranga, puikūs talentai ir nuolat stiprinamos technologijų pajėgos – malonus verslo partneris. 5 žvaigždutės Viktoras Januškevičius iš Japonijos - 2017.12.19 11:10

    Atsiųskite mums savo žinutę:

    Parašykite savo žinutę čia ir išsiųskite ją mums

    Produktų kategorijos

    Atsiųskite mums savo žinutę: